07
ESD的关键参数
① 静电防护等级
静电防护等级：器件可以保护的最大的静电等级。
说明：阻容模组正常是IEC模型150pF、330Ω，放电模式根据静电枪头是否接触EUT分为接触放电和空气放电，根据是测试EUT还是耦合板分为直接放电和间接放电，通常情况下，这里的放电等级是在直接放电的模式下测试的。
② 8/20us 波形峰值脉冲电流
8/20us 波形峰值脉冲电流：器件在8/20us波形下可以承受的最大电流。
备注：之所以没有评估功率，主要是考虑现有器件的特性不是功率越大越好，因为Ppp=IPP*VC，而回扫型ESD的VC很低，所以功率高有可能意味着残压也很高。
③ 丝印
丝印：表示产品本体上的印字。
④ 截止电压
截止电压（Vrwm，Reverse stand-off voltage）：安全工作电压，器件两端电压小于等于截止电压时，器件的漏电流≤规格书定义的漏电流。
说明：所以如果产品工作电压超出器件截止电压，器件两端的漏电流就会变大，最后导致器件性能损伤或者直接导通失效。
⑤ 击穿电压
击穿电压（VBR，Breakdown voltage）：触发电压、动作电压、在器件两端电压大于等于击穿电压时，判定器件被击穿，实际是在规格书定义的测试电流IT（1mA）下对应的电压。
⑥ 最大钳位电压
最大钳位电压（VC，Maximum Clamping Voltage）：在对应波形（正常情况下是在10/1000us的纯电流波）的IPP的情况下，器件两端的限制电压（也叫残压、钳位电压、保护电压等）。
说明：在不同的电流的情况下，ESD两端的VC会有差异。
⑦ 反向漏电流
反向漏电流（IR，Reverse Leakage）：定义在器件两端电压为截止电压Vrwm的时候器件的反向电流。
⑧ 结电容
结电容：器件两端的电容值。
说明：高速信号线对并联在上面的器件的电容值比较敏感，因为会影响电路正常的信号传输。
⑨ 产品封装
产品封装：表明产品的封装形式。
⑩ 极性
极性：只有一颗单向TVS意味着是单向器件，有两颗则是双向，单双向也可以通过I-V特性曲线来进行判断。
08
ESD的选型考虑
底层逻辑：在不影响要保护的电路平时正常工作的情况下，还能在异常的过压经过的时候，把电压降下来，达到保护后面的电路或者芯片的目的，同时保护器件本身还不能被打坏。
分析：
1. 如何实现在加了ESD后不影响电路正常工作？
——针对电源端口，主要会影响电路正常工作的因素是ESD的两端的电压和漏电流，漏电流大会导致电路损耗增大，对于ESD本身来说，正常不动作之前漏电流是很小的，但是在触发导通之后，器件的反向电流会变大，持续保持这个状态ESD有失效的风险。
所以，针对以上考虑，ESD首先需要考虑截止电压Vrwm的选择，因为截止电压就是针对性的给出的安全电压的建议，如果电路本身的工作电压超出器件的截止电压，那么漏电流就有可能会超出TVS规格书给出的范围，产生安全隐患。
也就是：Udc < Vrwm
——针对信号端口，分为高速信号和低速信号，需要考虑到ESD的结电容，不同的传输速率，对容值要求越高，不同传输速率下建议应用的器件容值如下：
2. 怎么实现异常过压经过ESD后，ESD可以有效保护后面的电路或芯片？
——这里主要考虑的是器件两端的残压，但是由于这里的残压是瞬态的，而后端芯片的耐压是常态的，所以还是需要实际测试验证。
如果在PCB不能动的情况下，可以先尝试用几种方法降低器件两端残压：
① 选用残压更低的器件或者回扫型的器件。
② 选用IPP更大的器件。
如果PCB可以更新，可以尝试用以下几种方案降低残压：
① 线路上串联电阻并联电容等退耦器件，因为经典的脉冲持续时间只有纳秒级别，所以瞬间的脉冲尖峰非常高，可以通过增加电阻等退耦的方式吸收尖峰残压。
② 把ESD的地阻抗减少，加快ESD动作时间。
静电的防护除了传导以外，还有耦合的方式，因为ESD频率非常快，所以容易直接和敏感金属引脚形成电容电流路径，尽量把敏感信号离地物理路径远一点以免产生耦合。
3. ESD自身不能被打坏。
——这个主要是考虑ESD的防静电等级，选择一个比需求的等级高的ESD就可以了。
END
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